一份最新研究显示，中国在推动半导体光刻技术发展方面仍面临严峻挑战，成为其在中美贸易战中争取技术自主与竞争优势的主要障碍之一。
据彭博社报道，华盛顿独立智库安全与新兴技术中心（CSET）星期一（7月14日）发布报告指出，中国光刻设备主要供应商上海微电子装备公司，目前在旧一代光刻机市场的占有率仅为4％。
报告指出，尽管中国企业“在晶片制造设备方面已取得显著进展”，并在部分细分领域追平日本，但在先进光刻技术上，上海微电子仍远远落后于荷兰巨头阿斯麦控股（ASML）和日本尼康公司（Nikon）。
研究人员指出，这凸显出光刻技术仍是制约中国高科技产业发展的关键瓶颈。
受美国长期推动的出口限制影响，阿斯麦从未向中国出口其最先进的极紫外（EUV）光刻系统。中国科技巨头华为在2023年推出一款国产七纳米晶片，曾令美国政界大为震惊，该晶片由中芯国际协助量产。然而，由于缺乏先进光刻设备，这一进展随后陷入停滞。
CSET团队分析了各家企业向加拿大半导体研究机构TechInsights提交的营收数据，并得出上述结论。
不过，这份数据并未涵盖企业为内部用途所研发的设备，因此像华为内部可能正在开发的高端机台并未被计入其中。
香港新闻社
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